常用温补晶振指标｜TCXO
【已经过期】：请登录重发或删除过期商品
产品属性：
| 价格： | |
|---|---|
| 供货总量： | |
| 所在地： | 广东深圳市 |
| 产品规格： | 温补晶振TCXO |
| 包装说明： | 温补晶振TCXO |
| 品牌： | 温补晶振TCXO |
详细信息
TCXO Temperature Compensated Crystal Oscillators 温补晶振
TCVCXO TemperatureCompensated Voltage Controlled Oscillators 温补压控晶振
温补晶振 TCXO10MHz ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 5.0V, sine输出, 不带频率调整,封装SMD 7×5×2mm
温补晶振 TCXO10MHz ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 7×5×2mm
温补晶振 TCXO10MHz ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, sine输出, 带频率调整,封装SMD 7×5×2mm
温补晶振 TCXO10MHz ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, clipped sine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm
温补晶振 TCXO20MHz ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 7×5×2mm
温补晶振 TCXO20MHz ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, sine输出, 不带频率调整,封装SMD 7×5×2mm
温补晶振 TCXO20MHz ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, sine输出, 带频率调整,封装SMD 7×5×2mm
温补晶振 TCXO20MHz ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, clipped sine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm
温补晶振 TCXO40MHz ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 7×5×2mm
温补晶振 TCXO40MHz ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, sine输出, 不带频率调整,封装SMD 7×5×2mm
温补晶振 TCXO40MHz ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, sine输出, 带频率调整,封装SMD 7×5×2mm
温补晶振 TCXO40MHz ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, clipped sine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm
一、温补晶振的应用
通讯、航空、航天、军事、移动通信、数字程控交换机、网络传输、接入网、光传输、雷达、导航、电子对抗、无线通信、测试设备、锁相环电路SDH、SONET、ATM、WLL、PCS基站、蜂窝基站、频率合成器
二、温补晶振的主要技术指标
1)温补晶振 频率范围:1.00-80.00MHz
2) 温补晶振的频率准确度: A ≤±1.0ppm @25℃ B ≤±0.5ppm @25℃
3) 温补晶振的频率调整: 1 Ageingadjustment: ≥ ±5ppm
2No frequency adjustment
4) 温补晶振的工作温度范围: C -20-+70℃ D -40-+85℃ E -55-+105℃
5) 温补晶振的温度频率稳定度:F ±0.28ppm G ±0.5ppm H ±1.0ppm
I ±1.5ppm J ±2.0ppm K ±2.5ppm
6) 温补晶振的输出波形: 1 Sine 正弦波 2 Hcmos 方波3 Clipped Sine 削峰正弦波
7) 温补晶振的工作电压范围: L 3.3V±10% M 5.0V±10%
8) 温补晶振的频率老化率: ±1ppm maximum in firstyear,±3ppm maximum for 10 years
9) 温补晶振的相位噪声:
Frequency | 10Hz | 100Hz | 1kHz | 10kHz | 100kHz |
13.0MHz | –95 dBc/Hz | –120dBc/Hz | –135dBc/Hz | –140dBc/Hz | –145dBc/Hz |
10) 温补晶振的封装、尺寸:
N DIP 21*13*5mm O DIP 18*12*5mm P DIP 20*20*10mm Q DIP 36*27*16mm
R SMD 5*3*1mm S SMD7*5*2mm T SMD 9*7*3mm U SMD 14*9*6mm
11) 温补晶振的储存温度范围： -55-+125℃
三、产品定型RTT-10MHZ-B 2 D G 1 M S
| 频率 | 准确度 | 频率调整 | 温度范围 | 稳定性 | 波形 | 电压 | 尺寸 |
RTT | 10 | B | 2 | D | G | 1 | M | S |
RTT |
10MHZ | ±0.5ppm @25℃ | No frequency adjustment | -40-+85 ℃ | ±0.5ppm |
Sine |
5.0V | SMD 7*5*2mm |
各大品牌温补晶振.温补晶振指标：
Ractron温补晶振,温补压控晶振
Citizen温补晶振, 温补压控晶振
Cmac温补晶振, 温补压控晶振
NDK温补晶振, 温补压控晶振
Rakon温补晶振, 温补压控晶振
Raltron温补晶振, 温补压控晶振
TDK温补晶振, 温补压控晶振
Vectron温补晶振，温补压控晶振
温补晶振 TCXO10MHz ±1.0ppm, －20℃~ +70℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 7×5×2mm
温补晶振 TCXO10MHz ±1.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, clipped sine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm
温补晶振 TCXO10MHz ±2.0ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, clipped sine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm
温补晶振 TCXO10MHz ±2.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, clipped sine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm
温补晶振 TCXO10MHz ±1.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 5×3mm
温补晶振 TCXO10MHz ±2.0ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 5×3mm
温补晶振 TCXO10MHz ±2.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 5×3mm
温补晶振 TCXO10MHz ±1.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 7×5mm
温补晶振 TCXO10MHz ±2.0ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 7×5mm
温补晶振 TCXO10MHz ±2.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 7×5mm
温补晶振 TCXO20MHz ±1.0ppm, －20℃~ +70℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 7×5×2mm
